图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： BSL308C L6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSL308C L6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSL308C L6327价格参考。InfineonBSL308C L6327封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSL308C L6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSL308C L6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P/N-CH 30V 6TSOPMOSFET P/N-Channel -/+30V MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-连续漏极电流 | 2.3 A, - 2 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSL308C L6327OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSL308C_Rev+2+0.pdf?folderId=db3a30431add1d95011aed428f2d0285&fileId=db3a30431ff98815012060ff862e6193 |
| 产品型号 | BSL308C L6327 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Qg-GateCharge | 1.5 nC, - 5 nC |
| Qg-栅极电荷 | - 5 nC, 1.5 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 88 mOhms, 67 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V, - 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V, - 1.5 V |
| 上升时间 | 2.3 ns, 7.7 ns |
| 下降时间 | 1.4 ns, 2.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 11µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 275pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 500nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | BSL308CL6327HTSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 8.3 ns, 15.3 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 88 mOhms, 67 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 5 S, 4.6 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | - 2 A, + 2.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.3A |
| 系列 | BSL308 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | BSL308CL6327HTSA1 SP000473910 |
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